| 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜稳定性的研究进展 |
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| 引用本文： | 廖乃镘,李伟,蒋亚东,匡跃军,李世彬,吴志明.氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜稳定性的研究进展[J].材料导报,2007,21(5):21-24. |
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| 作者姓名： | 廖乃镘 李伟 蒋亚东 匡跃军 李世彬 吴志明 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 摘 要： | 氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理 |
Recent Progresses on the Stability of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films |
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| LIAO Naiman,LI Wei,JIANG Yadong,KUANG Yuejun,LI Shibin,WU Zhiming.Recent Progresses on the Stability of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films[J].Materials Review,2007,21(5):21-24. |
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| Authors: | LIAO Naiman LI Wei JIANG Yadong KUANG Yuejun LI Shibin WU Zhiming |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, UESTC, Chengdu 610054 |
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