| 离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 朱仁江,孔春阳,秦国平,王楠,戴特力,方亮.离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜[J].材料导报,2008,22(6):143-145. |
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| 作者姓名： | 朱仁江 孔春阳 秦国平 王楠 戴特力 方亮 |
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| 作者单位： | 1. 重庆师范大学光学工程实验室,重庆,400047
2. 重庆大学数理学院,重庆,400030 |
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| 基金项目： | 重庆市科技攻关项目，重庆市教委资助项目 |
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| 摘 要： | 采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E 16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 p型 离子注入 制备 |
Production of N-doped p-type ZnO Thin Films by Ion Implantation |
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| ZHU Renjiang,KONG Chunyang,QING Guoping,WANG Lan,DAI Teli,FANG Liang.Production of N-doped p-type ZnO Thin Films by Ion Implantation[J].Materials Review,2008,22(6):143-145. |
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| Authors: | ZHU Renjiang KONG Chunyang QING Guoping WANG Lan DAI Teli FANG Liang |
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