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有机半导体器件的真空镀膜技术
引用本文:冯煜东,张福甲.有机半导体器件的真空镀膜技术[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):75-78.
作者姓名:冯煜东  张福甲
作者单位:1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000
2. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
摘    要:重点论述了在P-Si基底上通过真空沉积技术制备PTCDA/P-Si光电探测器的制备工艺和光电性能.所制备的PTCDA/P-SI有机光电探测器具有良好的稳定性及可靠性,总体性能高于进口的无机半导体光电探测器.

关 键 词:有机半导体  真空沉积  光电探测器
文章编号:1672-7126(2006)增-0075-04
修稿时间:2005年9月1日

Vacuun Deposition Technology in Organic Semiconductor Device Fabrication
Feng Yudong,Zhang Fujia.Vacuun Deposition Technology in Organic Semiconductor Device Fabrication[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):75-78.
Authors:Feng Yudong  Zhang Fujia
Abstract:
Keywords:
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