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| MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究 | |
| 作者姓名： | 丁永庆 彭瑞伍 陈记安 杨臣华 |
| 作者单位： | 中科院上海冶金所(丁永庆，彭瑞伍)，华北光电所(陈记安)，华北光电所(杨臣华) |
| 摘 要： | 用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。 |
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