实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。