| S波段GaAs单片可变增益放大器 |
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| 引用本文： | 叶禹康,茅经怀.S波段GaAs单片可变增益放大器[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):97-99. |
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| 作者姓名： | 叶禹康 茅经怀 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016
(叶禹康，茅经怀，潘扬)，南京电子器件研究所 210016(伍祥冰) |
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| 摘 要： | 用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。
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| 关 键 词： | 单片可变增益放大器 |
S Band GaAs Monolithic Variable Gain Amplifier |
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| Ye Yukang,Mao Jinghual,Pan Yang,Wu Xiangbing.S Band GaAs Monolithic Variable Gain Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1993,13(2):97-99. |
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| Authors: | Ye Yukang Mao Jinghual Pan Yang Wu Xiangbing |
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| Abstract: | This paper describes an analyzed method to obtain the four-port 5-parameters of a dual gate MESFET. By using them,the amplifiers are designed. The fabricated amplifier has over 30 dB gain,larger than 65 dB variable gain and less than 5 ns switching time of the second gate. Its packaged size is only 17.5mm×20mm×5mm. |
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| Keywords: | Monolithic Variable Gain Amplifier |
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