| 低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 吴建锋, 秦会斌, 黄海云, 郑梁.低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计[J].电子器件,2009,32(1). |
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| 作者姓名： | 吴建锋 秦会斌 黄海云 郑梁 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学新型电子器件研究所,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 浙江省教育厅资助项目，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 介绍了一个针对无线通讯应用的2.1 GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25 μm CMOS工艺,电源电压为2.5 V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果. 模拟结果显示,该电路能提供21.63 dB的正向增益(S21),功耗为12.5 mW,噪声系数为2.1 dB,1 dB压缩点为-19.054 1 dBm.芯片面积为0.8 mm×0.6 mm.测试结果达到了设计指标,一致性良好.
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| 关 键 词： | 射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 线性度 |
Design of Low-Power CMOS RF Low Noise Amplifier |
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| WU Jian-feng,QIN Hui-bin,HUANG Hai-yun,ZHENG Liang.Design of Low-Power CMOS RF Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2009,32(1). |
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| Authors: | WU Jian-feng QIN Hui-bin HUANG Hai-yun ZHENG Liang |
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| Affiliation: | Institute of New Electron Devices;Hangzhou Dianzi University;Hangzhou 310018;China |
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| Keywords: | RF integrated circuits low noise amplifier noise figure linearity |
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