| Si基有机异质结势垒特性的研究 |
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| 引用本文： | 张福甲,王德明,张德江,甘润今,刘凤敏.Si基有机异质结势垒特性的研究[J].半导体光电,2000,21(3):182-185. |
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| 作者姓名： | 张福甲 王德明 张德江 甘润今 刘凤敏 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000
2. 北京机械工业学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69676010; |
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| 摘 要： | 在电阻率为０．２Ω．ｃｍ的ｐ－Ｓｉ衬底上沉积了厚度为２０ｎｍ的有机半导体材料四甲酸二酐（ＰＴＣＤＡ）薄膜，由此形成有机／无机异质结。从它们的能带结构出发，通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（ＯＩＨＪ）的电容－电压及电流－电压特性。
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| 关 键 词： | 硅基复合材料 异质结势垒 有机半导体材料 |
Investigation on Barrier Characteristics for Si-based Compounds |
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| ZHANG Fu-jia,WANG De-ming,ZHANG De-jiang,GAN Run-jin,LIU Feng-min.Investigation on Barrier Characteristics for Si-based Compounds[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(3):182-185. |
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| Authors: | ZHANG Fu-jia WANG De-ming ZHANG De-jiang GAN Run-jin LIU Feng-min |
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| Affiliation: | ZHANG Fu-jia 1,WANG De-ming 1,ZHANG De-jiang 1,GAN Run-jin 2,LIU Feng-min 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si-based compounds heterojunction barrier characteristics |
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