| OTFTs结构与器件性能 |
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| 引用本文： | 王伟,石家纬,姜文海,郭树旭,张宏梅,马东阁,全宝富.OTFTs结构与器件性能[J].功能材料与器件学报,2007,13(1):82-85. |
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| 作者姓名： | 王伟 石家纬 姜文海 郭树旭 张宏梅 马东阁 全宝富 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012
2. 中国科学院长春应用化学研究所,高分子物理与化学国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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吉林省自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极（Bottom—contact organic thin—film transistors，BCOTFYs）和顶电极（Top—contact organic thin—film transistors，TC—OTFYs）有机薄膜场效应晶体管，探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明，顶电极可以形成良好的欧姆接触，其器件的迁移率和开关电流比均高出BC—OTFYs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明，在相同电压下，薄的绝缘层增大了沟道区域的电场，可积累更多的电荷，以填充更多的陷阱，使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。
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| 关 键 词： | 有机薄膜场效应晶体管 顶电极 底电极 迁移率 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)01-0082-04 |
| 修稿时间： | 2006年2月9日 |
Configurations of OTFTs and the device performance |
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| WANG Wei,SHI Jia-wei,JIANG Wen-hai,GUO Shu-xu,ZHANG Hong-mei,MA Dong-ge,QUAN Bao-fu.Configurations of OTFTs and the device performance[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(1):82-85. |
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| Authors: | WANG Wei SHI Jia-wei JIANG Wen-hai GUO Shu-xu ZHANG Hong-mei MA Dong-ge QUAN Bao-fu |
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| Abstract: | Organic thin-film transistors based on the heavily doped silicon substrates were fabricated with two different designs: bottom and top contact configurations(referred to as BC-OTFTs and TC-OTFTs,respectively).The influence of configurations on the device performance was investigated.The results indicate that good contact can be obtained with top contact;the mobility and the on/off ratio of TC-OTFTs are three orders of magnitude higher than those of BC-OTFTs.The thickness of gate insulator can also influence the device performance.At the same gate voltage,thinner gate insulator enhanced the field.As a result,more carriers can be accumulated to fill up more traps,so that the mobility and the operation current are enhanced subsequently. |
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| Keywords: | organic thin-film transistors top contact bottom contact mobility |
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