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集成电路开短路失效原因探讨
引用本文:李兴鸿,赵俊萍,赵春荣,赖世波.集成电路开短路失效原因探讨[J].电子产品可靠性与环境试验,2012,30(6):20-24.
作者姓名:李兴鸿  赵俊萍  赵春荣  赖世波
作者单位:北京微电子技术研究所,北京,100076
摘    要:对过电应力引起的CMOS集成电路的开短路失效模式,从电路结构、导电通路、误操作等方面进行了失效原因探讨。列举了一些过电应力的来源,说明了电压或电流幅度很小也可导致过电应力烧毁,从而说明了根据失效模式来寻找过电应力来源的困难性。对失效分析、故障归零将有很好的参考价值。

关 键 词:数字集成电路  过电应力  开路  短路

Failure Cause Research on IC Open and Short Circuit
LI Xing-hong , ZHAO Jun-ping , ZHAO Chun-rong , LAI Shi-bo.Failure Cause Research on IC Open and Short Circuit[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2012,30(6):20-24.
Authors:LI Xing-hong  ZHAO Jun-ping  ZHAO Chun-rong  LAI Shi-bo
Affiliation:(Beijing Micro-electronic Technology Research Institute,Beijing 100076,China)
Abstract:
Keywords:
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