| Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究 |
| |
| 引用本文： | 王因生,盛文伟,汪建元,张晓明,熊承堃,朱恩均.Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究[J].半导体学报,1989,10(6):475-478. |
| |
| 作者姓名： | 王因生 盛文伟 汪建元 张晓明 熊承堃 朱恩均 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 南京
(王因生，盛文伟，汪建元，张晓明，熊承堃)，北京大学微电子研究所 北京(朱恩均) |
| |
| 摘 要： | 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.
|
| 关 键 词： | Si／a－Si：H 微波 双极晶体管 |
Experimental Study on a Si/a-Si:H Heterojunction Microwave Bipolar Transistor |
| |
| Wang Yinsheng/Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Sheng Wenwei/Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Wang Jianyuan/Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Zhang Xiaoming/Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Xiong Chengkun/Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Zhu Enjun/Institute of Microelectronics,Beijing University,Beijing.Experimental Study on a Si/a-Si:H Heterojunction Microwave Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(6):475-478. |
| |
| Authors: | Wang Yinsheng/Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing Sheng Wenwei/Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing Wang Jianyuan/Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing Zhang Xiaoming/Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing Xiong Chengkun/Nanjing Electronic Devices Institute Nanjing Zhu Enjun/Institute of Microelectronics Beijing University Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | a-Si:H Heterojunction Microwave bipolar transistor |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
