| PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究 |
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| 引用本文： | 张瑞丽,杜红文,张亚萍,杜平凡,问明亮,张秀芳,席珍强.PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究[J].浙江理工大学学报,2010,27(2):254-258. |
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| 作者姓名： | 张瑞丽 杜红文 张亚萍 杜平凡 问明亮 张秀芳 席珍强 |
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| 作者单位： | 1. 浙江理工大学材料工程中心,杭州,310018
2. 浙江机电职业技术学院,杭州,310053 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金项目，浙江理工大学人才引进基金，浙江省科技计划项目 |
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| 摘 要： | 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
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| 关 键 词： | PECVD 碳化硅薄膜 正交实验 减反射性能 |
Studies of Antireflection Properties of SiC Thin Films Prepared by PECVD |
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| Keywords: | PECVD |
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