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| S波段PHEMT单片阻性混频器 | |
| 引用本文： | 王军贤,岑元飞.S波段PHEMT单片阻性混频器[J].固体电子学研究与进展,1998,18(4):462-462. |
| 作者姓名： | 王军贤 岑元飞 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
| 摘 要： | 南京电子器件研究所最近研制出一种低中频的S波段单片PHEMT混频器,具有电路结构简单、三阶交调优越、噪声性能良好等优点,另外混频器要求的本振功率极低,并且基本无直流功耗。GaAs三端器件作为混频元件,其混频方式一般分为有源混频模式与阻性混频模式两种。本研究采用阻性混频方式,其特点是器件的源漏电压为零,电路仅需要提供一个接近夹断的负栅压,本振信号从概极注入,射频信号从漏极注入,中频信号从漏极经滤波电路输出。这种结构最大优点是:（1）低的1／f噪声,对于低中频的混频器,这种结构噪声性能较好;（2）优越的交调特性,当信号功率… |
| 关 键 词： | 单片阻性混频器 混频器 PHEMT 结构 |
S-band PHEMT Monolithic Resistive Mixer |
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