| 一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 崔嘉杰,罗 萍.一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源设计[J].微电子学,2014(4):416-419. |
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| 作者姓名： | 崔嘉杰 罗 萍 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61274027);博士点基金资助项目(20120185110005) |
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| 摘 要： | 基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源。仿真结果表明,温度在-40℃~125℃范围内,基准输出电压的温度系数为1.3×10-5/℃;电源电压在3.3~5 V之间变化时,基准输出电压变化为0.076 mV,电源抑制比PSRR为-89 dB。同时,该电路包含修调电路,可在不同工艺角下进行校正,具有温度系数低、电源抑制比高、精度高等特点。
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| 关 键 词： | 基准电压源 线性补偿 电源抑制比 |
A High Precision Current-Mode CMOS Bandgap Voltage Reference |
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| CUI Jiajie,LUO Ping.A High Precision Current-Mode CMOS Bandgap Voltage Reference[J].Microelectronics,2014(4):416-419. |
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| Authors: | CUI Jiajie LUO Ping |
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| Affiliation: | State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Elec. Sci. & Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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