|
|||||
|
|
| 新型二维电子气Si/N~+α-Si:H异质结双极型晶体管 | |
| 引用本文： | 朱恩均,王因生,熊承堃.新型二维电子气Si/N~+α-Si:H异质结双极型晶体管[J].固体电子学研究与进展,1987(4). |
| 作者姓名： | 朱恩均 王因生 熊承堃 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 (朱恩均，王因生)，南京电子器件研究所(熊承堃) |
| 摘 要： | <正> 本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求,实现使用常规工艺来制作宽禁带发射极异质结晶体管。目前这一工作主要在硅材料上进行,利用重掺杂N型氢化非晶硅(N~+a-Si:H)作宽禁带发射极材料,在单晶硅上制作2DEG HBT。实验样管电流增益h_(FE)=120(V_(CE)5V,I_C=80mA),基区电阻5kΩ/□,表面浓度1.8×10~(18)cm~(-3)。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
