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UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究
引用本文:姜胜林,江勤,陈实,刘梅冬.UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(2):74-76.
作者姓名:姜胜林  江勤  陈实  刘梅冬
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 教育部跨世纪优秀人才培养计划
摘    要:利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.

关 键 词:非制冷红外焦平面阵列  微桥  各向异性腐蚀  腐蚀装置  UFPA  器件  微桥结构  腐蚀工艺  研究  devices  microbridge  意义  成品率  技术线路  沉积  热释电薄膜  实施  腐蚀液  硅基片上  有效保护  桥面宽度  深度  腐蚀坑  厚度
文章编号:1671-4512(2007)02-0074-03
收稿时间:2005-12-22
修稿时间:2005年12月22

Etching microbridge for UPFA devices
Jiang Shenglin,Jiang Qin,Chen Shi,Liu Meidong.Etching microbridge for UPFA devices[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2007,35(2):74-76.
Authors:Jiang Shenglin  Jiang Qin  Chen Shi  Liu Meidong
Abstract:
Keywords:uncooled infrared focal plane arrays  micro-bridge  anisotropic etching  etching equipments
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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