| 在退火过程中离子注入杂质再分布的二维精确解析模型 |
| |
| 引用本文： | 徐晨曦.在退火过程中离子注入杂质再分布的二维精确解析模型[J].固体电子学研究与进展,1988(4). |
| |
| 作者姓名： | 徐晨曦 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学研究所 |
| |
| 摘 要： | <正> 一、引言 离子注入是大规模集成电路制造中的重要工艺,离子注入及其热退火过程中杂质再分布的模拟,对集成电路的设计和制造有很大指导意义。随着集成电路工艺的不断发展,器件尺寸越来越小,已出现了亚微米器件。因此,一维模型已不能很好描述热退火后离子注入杂质的分布,国外已大量应用二维、三维模型来描述。本文在二维离子注入模拟器FUTIS描述的注入杂质分布基础上,导出了在热退火过程中注入杂质再分布的二维解析解。
|
Exact 2-D Analytical Model of Ion Implanted Dopant Redistribution During Annealing |
| |
| Abstract: | This paper presents a 2D analytical annealing model. Using a Known 2D ion implantation model, the implanted impurity redistribution during furnace annealing o; RTA is calculatea by solving the linear diffusional equation and taking the variation of the diffusional coefficients into consideration. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
