| CMP加工中的真空吸盘区域压力控制技术 |
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| 引用本文： | 孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉.CMP加工中的真空吸盘区域压力控制技术[J].电子工业专用设备,2004,33(7):34-39. |
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| 作者姓名： | 孙禹辉 康仁科 郭东明 金洙吉 |
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| 作者单位： | 大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 目前半导体制造技术已经进入0.13μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了CMP(化学机械抛光)加工中大尺寸硅片夹持的关键之一—区域压力控制技术穴ZoneBackPressureControl雪,介绍了采用区域压力控制技术的必要性和理论基础,以及国内外研究现状和最新进展,并指出了该技术存在的问题与发展趋势。
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| 关 键 词： | 集成电路 化学机械抛光 真空吸盘 区域压力控制 |
| 文章编号： | 1004-4507(2004)07-0034-06 |
| 修稿时间： | 2004年6月7日 |
Zone back pressure control using for vacuum carriers in CMP |
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| SUN Yu-hui,KANG Ren-ke,GUO Dong-ming,JIN Zhu-ji.Zone back pressure control using for vacuum carriers in CMP[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2004,33(7):34-39. |
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| Authors: | SUN Yu-hui KANG Ren-ke GUO Dong-ming JIN Zhu-ji |
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| Abstract: | Presently the semiconductor manufacturing technology has come into the age of 0.13um. Chemical mechanical polishing has become the indispensable technology in IC manufacture. Next generation IC needs large-scale wafers (300 mm) with high local and global planarization precision. This paper introduces research works of developed industry country on this key technology using for vacuum carrier-Zone Back Pressure which is used to mount wafers in CMP process, and then describes the development trend in the future. |
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| Keywords: | IC Chemical mechanical polishing Vacuum carrier Zone Back Pressure |
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