不同方法生长的蓝宝石晶体位错缺陷

采用化学腐蚀-显微镜观察法,利用熔融的KOH对泡生法、提拉法、温度梯度法生长的蓝宝石晶体进行了位错腐蚀形貌分析。结果表明:与提拉法生长出的蓝宝石相比,泡生法和温度梯度法生长出来的蓝宝石的位错密度较低,同时位错分布形态比较均匀,双晶摇摆曲线半高宽越窄位错密度越低。因此,在测试蓝宝石晶体时可以通过测试半高宽来间接说明蓝宝石晶体的位错密度情况,并探讨晶体位错缺陷密度、分布与晶体生长工艺之间的关系,对相关机制进行了阐述。