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粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究
引用本文:肖洪地,马洪磊,薛成山,胡文容,马瑾,宗福建,张锡健.粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(9):1411-1414.
作者姓名:肖洪地  马洪磊  薛成山  胡文容  马瑾  宗福建  张锡健
作者单位:1. 山东大学,山东,济南,250100
2. 山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60071006,90201025)和高等学校博士学科点专项科研基金(20020422045,20020422056)
摘    要:在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.

关 键 词:GaO2H粉末  粒状GaN微晶  氮化温度
文章编号:1002-185X(2005)09-1411-04
收稿时间:2004-04-19
修稿时间:2004-10-09

Study on Synthesis of Grainy GaN Powders and Their Structural Properties
Xiao HongDe;Ma HongLei;Xue ChengShan;Hu WenRong;Ma Jin;Zong FuJian;Zhang XiJian.Study on Synthesis of Grainy GaN Powders and Their Structural Properties[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(9):1411-1414.
Authors:Xiao HongDe;Ma HongLei;Xue ChengShan;Hu WenRong;Ma Jin;Zong FuJian;Zhang XiJian
Abstract:
Keywords:GaO2H powder  grainy GaN micro-crystal  nitridation temperature
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