| 微波功率GaAs MESFET本征元件与偏置关系分析 |
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| 引用本文： | 顾聪,刘佑宝,高一凡.微波功率GaAs MESFET本征元件与偏置关系分析[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):38-44. |
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| 作者姓名： | 顾聪 刘佑宝 高一凡 |
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| 作者单位： | 1. 西安微电子技术研究所,710054
2. 长安大学,西安,710064 |
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| 摘 要： | 提出了一种分析和了解微波功率 Ga As MESFET非线性效应的方法。主要是采用解析优化方法 ,提取 MESFET器件在不同偏置点下的本征元件 ,并结合器件的应用类型 ,对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析。分析的结论有助于提高微波功率 Ga As MESFET器件设计和应用的准确性
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| 关 键 词： | 微波功率器件 本征元件 非线性模型 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)01-038-07 |
| 修稿时间： | 2000年5月29日 |
Analyses of Intrinsic Elements with Biasings for Microwave Power GaAs MESFET′s |
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| GU Cong,LIU Youbao.Analyses of Intrinsic Elements with Biasings for Microwave Power GaAs MESFET′s[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(1):38-44. |
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| Authors: | GU Cong LIU Youbao |
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| Abstract: | A method of analyzing and understanding of microwave power GaAs MESFET's nonlinear effects is presented.The systematic analyses of the relation of intrinsic elements with biasings are completed by extracting intrinsic elements of MESFET device under different biasings with analytical optimal approach combining with the kinds of device application.The conclusions of the analyses are helpful to improve the accuracy of design and application of microwave power GaAs MESFET device. |
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| Keywords: | microwave power transistor intrinsic elements nonlinear model |
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