| p-n复合半导体光催化剂研究进展 |
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| 引用本文： | 吴欢文,张宁,钟金莲,洪三国.p-n复合半导体光催化剂研究进展[J].化工进展,2007,26(12):1669-1674. |
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| 作者姓名： | 吴欢文 张宁 钟金莲 洪三国 |
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| 作者单位： | 南昌大学理学院化学系,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(20562007) |
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| 摘 要： | 综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型"、"二极管"式p-n复合半导体光催化剂,分别对其研究状况进行了介绍。提出了当前p-n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向进行了探讨。
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| 关 键 词： | 光催化剂 p-n复合半导体光催化剂 p-n结光催化剂 光催化二极管 复合界面 |
| 文章编号： | 1000-6613(2007)12-1669-06 |
| 修稿时间： | 2007年8月30日 |
Progress in research of p-n type semiconductor composite photocatalysts |
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| WU Huanwen,ZHANG Ning,ZHONG Jinlian,HONG Sanguo.Progress in research of p-n type semiconductor composite photocatalysts[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2007,26(12):1669-1674. |
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| Authors: | WU Huanwen ZHANG Ning ZHONG Jinlian HONG Sanguo |
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| Abstract: | The principle of photocatalysis of p-n type semiconductor composite photocatalysts and its current research progress are reviewed.Based on the p-type semiconductors,the catalysts are divided into four types:CoOx-n-type,CuxO-n-type,NiOx-n-type,and other p-n type semiconductor materials,such as p-n heterojunction photocatalysts and photocatalytical diodes.Finally,some problems in the study of p-n type semiconductor composite photocatalysts are indicated and a brief discussion about the future research is given. |
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| Keywords: | photocatalyst p-n type semiconductor composite photocatalysts p-n heterojunction photocatalysts photocatalytical diodes interface |
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