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| InP系波导和光电探测器单片集成 | |
| 引用本文： | 杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海,朱祖华,胡征.InP系波导和光电探测器单片集成[J].半导体学报,1996,17(1):51-54. |
| 作者姓名： | 杨易 陈兴国 程宗权 王惠民 吕章德 蒋惠英 王晨 施惠英 吴学海 朱祖华 胡征 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，浙江大学信电系 |
| 摘 要： | 本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ． |
| 关 键 词： | 磷化铟 光波导 光电探测器 单片集成 |
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