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| 铜镀镍基底生长碳纳米管薄膜场发射特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.郑州航空工业管理学院 |
| 摘 要： | 采用化学镀的方法在铜基底上镀镍作为缓冲层,以酞菁铁(FePc)作为催化剂,采用CVD法在Cu/Ni基底上制备出了碳纳米管薄膜(Cu/Ni-CNTs),利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱进行了表征。为了测试在Cu/Ni基底上生长碳纳米管薄膜的场发射特性,采用二极管结构,在真空度为2×10~(-4) Pa下进行直流场发射测试。结果表明Cu/Ni基底的碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为9mm时开启场强为1.44V/μm,场发射测试数据符合Fowler-Nordheim(F-N)场发射特性曲线,在相同高压范围(0~20kV)进行多次重复测试,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性。 |
| 关 键 词： | 碳纳米管 铜镀镍 直流场发射 |
Synthesis of CNT Film on Cu/Ni Substrate and Study of Its Field Emission Characteristics |
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| Keywords: | |
