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P/P~+外延片电阻率均匀性、一致性的控制

引用本文：	罗振英,孙以材.P/P~+外延片电阻率均匀性、一致性的控制[J].仪表技术与传感器,1985(5).

作者姓名：	罗振英孙以材

作者单位：	天津市第二半导体材料厂，河北工学院

摘要：	本文研究了P/P~+硅外延工艺中多种影响外延层电阻率的因素,并将研究结果应用于外延生长中,制备出电阻率均匀性,一致性好的外延片。图6,表3,参3。
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