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中子嬗变掺杂单晶硅的电学性能研究
作者姓名:
刘开敏
孟祖祥
摘 要:
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD Si的自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲线和各种特征温度,并对实验结果作了简要讨论。
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