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| 分子束外延低温生长GaAs缓冲层 | |
| 引用本文： | 张允强,彭正夫.分子束外延低温生长GaAs缓冲层[J].固体电子学研究与进展,1992,12(4):379-380. |
| 作者姓名： | 张允强 彭正夫 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016 (张允强，彭正夫，高翔，曹苏榕)，南京电子器件研究所 210016(孙娟) |
| 摘 要： | <正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然 |
| 关 键 词： | 分子束外延 生长 砷化镓 缓冲层 |
Low Temperature Growth of GaAs Buffer Layer by MBE |
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