| (100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能 |
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| 引用本文： | 苏青峰,夏义本,王林军,张明龙,楼燕燕,顾蓓蓓,史伟民.(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能[J].半导体学报,2005,26(5). |
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| 作者姓名： | 苏青峰 夏义本 王林军 张明龙 楼燕燕 顾蓓蓓 史伟民 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市纳米科技专项基金，上海市应用材料研究与发展基金，上海市教委资助项目 |
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| 摘 要： | 采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜,厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近.研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流-电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容-频率特性.结果表明,退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应;高频下,电容和介电损耗都很小且趋于稳定,不随频率的变化而变化.
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 HFCVD (100)定向生长 电学特性 |
Growth and Electrical Properties of (100)-Oriented CVD Diamond Films |
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| Su Qingfeng,XIA Yiben,Wang Linjun,Zhang Minglong,Lou Yanyan,Gu Beibei,SHI Weimin.Growth and Electrical Properties of (100)-Oriented CVD Diamond Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5). |
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| Authors: | Su Qingfeng XIA Yiben Wang Linjun Zhang Minglong Lou Yanyan Gu Beibei SHI Weimin |
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