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光电耦合器件g-r噪声模型
引用本文:包军林,庄奕琪,杜磊,吴勇,马仲发.光电耦合器件g-r噪声模型[J].半导体学报,2005,26(6).
作者姓名:包军林  庄奕琪  杜磊  吴勇  马仲发
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
基金项目:国家自然科学基金,国防预研基金,国防重点实验室基金
摘    要:在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.

关 键 词:1/f噪声  g-r噪声  光电耦合器件  深能级缺陷

A Model for a g-r Noise in Optoelectronic Coupled Devices
Bao Junlin,Zhuang Yiqi,Du Lei,Wu Yong,Ma Zhongfa.A Model for a g-r Noise in Optoelectronic Coupled Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6).
Authors:Bao Junlin  Zhuang Yiqi  Du Lei  Wu Yong  Ma Zhongfa
Abstract:
Keywords:
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