| 偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长 |
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| 引用本文： | 王雷,孙国胜,高欣,赵万顺,张永兴,曾一平,李晋闽.偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.
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| 关 键 词： | SiC化学气相沉积 外延生长 |
LPCVD Homoepitaxial Growth on Off-Axis Si-Face 4H-SiC(0001) Substrates |
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| Wang Lei,Sun Guosheng,Gao Xin,Zhao Wanshun,Zhang Yongxing,Zeng Yiping,Li Jinmin.LPCVD Homoepitaxial Growth on Off-Axis Si-Face 4H-SiC(0001) Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Wang Lei Sun Guosheng Gao Xin Zhao Wanshun Zhang Yongxing Zeng Yiping Li Jinmin |
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