| 低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究 |
| |
| 引用本文： | 吴小山,谭伟石,蒋树声,吴忠华,丁永凡,曾鸿祥.低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究[J].北京同步辐射装置年报,2002(1):150-153. |
| |
| 作者姓名： | 吴小山 谭伟石 蒋树声 吴忠华 丁永凡 曾鸿祥 |
| |
| 作者单位： | [1]南京大学固体微结构物理国家重点实验室，微结构物理高等科学技术中心，南京大学物理系，南京210093 [2]中国科学院高能物理研究所，国家同步辐射实验室，北京100039，中国 [3]国立台湾大学凝聚态中心，台湾 |
| |
| 摘 要： | 低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
|
| 关 键 词： | Ge／Si超晶格 界面结构 X射线 粗糙度 纳米结构 光电特性 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
