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| 新的硅外延生长法—两段外延生长技术 | |
| 引用本文： | 高桥和久,赵平海.新的硅外延生长法—两段外延生长技术[J].微纳电子技术,1975(6). |
| 作者姓名： | 高桥和久 赵平海 |
| 摘 要： | 一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低 |
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