| 退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵鸿燕,司俊杰,鲁正雄,成彩晶,丁嘉欣,张亮,陈慧娟.退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响[J].激光与红外,2007,37(12). |
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| 作者姓名： | 赵鸿燕 司俊杰 鲁正雄 成彩晶 丁嘉欣 张亮 陈慧娟 |
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| 摘 要： | 研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响.研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaN P-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1 A/cm2降为5.7×10-5 A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性.分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关.
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| 关 键 词： | AlGaN P-I-N二极管 退火 欧姆接触 工艺损伤 退火条件 组分 AlGaN 二极管 光电性能 影响 Fraction High Performance Process 缺陷态密度 损伤 制备工艺 器件 同时消除 电极特性 欧姆接触 改善 分析 优化 |
The Infiuence of Annealing Process on the Performance of AlGaN P-I-N Photodiodes with High Al Fraction |
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| ZHAO Hong-yan,SI Jun-jie,LU Zheng-xiong,CHENG Cai-jing,DING Jia-xin,ZHANG Liang,CHEN Hui-juan.The Infiuence of Annealing Process on the Performance of AlGaN P-I-N Photodiodes with High Al Fraction[J].Laser & Infrared,2007,37(12). |
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| Authors: | ZHAO Hong-yan SI Jun-jie LU Zheng-xiong CHENG Cai-jing DING Jia-xin ZHANG Liang CHEN Hui-juan |
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