| 半导体二极管 |
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| 引用本文： | 阳华.半导体二极管[J].电气时代,1999(5):41-41. |
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| 作者姓名： | 阳华 |
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| 摘 要： | 表n部分兀型发光二极管主要技术参数型号封装形式外形尺寸(mm)极限参数光电参数耗散功率 Pm(mw)正向电流 IF(n认)光强 Iv(mCd)峰值波长 几P(nm)光谱半宽值 乙孟(nm)FGI乡《X)3,笋5125501 .258535FG13〕汉)3甲声5125502 .058535F《;1夕众)1,声375302 .058535FG133《X)l7笋375302558535R;134101,2 xs1的4DD .658535FG134102!1 .8x5.2loo400 .658535FG31屯刃3,毋5125500 .67(X)looR乃13(刃3甲价5l25500 .87(X)1加FG31月仪)1V价37530127仪】1印FG313(X)1甲笋375301 .57仪〕1ooFG314101V2 XS1oo400 .47oo1ooFG3141倪甲1 .8x5.21o…
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| 关 键 词： | 半导体二极管 技术参数 发光二极管 二极管 |
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