| 0.20 μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应 |
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| 引用本文： | 王国庆,张晋敏,吴次南,谢泉,刘凡宇,李博,杨静琦.0.20 μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应[J].半导体技术,2021,46(8):617-622. |
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| 作者姓名： | 王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;中国科学院微电子研究所,北京 100029;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国航天科工二院未来实验室,北京 100854 |
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| 摘 要： | 研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE).通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响.仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道.重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱.此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果.
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| 关 键 词： | 双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅 |
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