| 沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响 |
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| 引用本文： | 潘园园,沈鸿烈,张磊,吴天如,江丰.沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响[J].真空科学与技术学报,2013,33(2). |
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| 作者姓名： | 潘园园 沈鸿烈 张磊 吴天如 江丰 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京211100 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)资助项目，江苏高校优势学科建设工程资助项目 |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响.结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸会减小.当沉积气压由1Pa升高到2Pa时,BH3粒子迅速增多,且吸附方式是化学吸附,因而载流子浓度从8.9×1018 cm-3迅速增大到6.252×102 cm-3.此时电导率从1.08 S/cm显著增加到29.5 S/cm,而电导激活能则从95.8 meV急剧减小至18.6 meV,这是硼杂质掺杂浓度和薄膜的晶化率迅速增大所致.
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| 关 键 词： | 沉积气压 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 晶化率 电输运性能 |
Growth and Property Characterization of B-Doped Nano-Crystalline Si Films |
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| Abstract: | |
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