| ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响 |
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| 引用本文： | 李再金,李特,芦鹏,王勇,李林,曲轶,薄报学,刘国军,马晓辉.ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响[J].真空科学与技术学报,2013,33(4). |
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| 作者姓名： | 李再金 李特 芦鹏 王勇 李林 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 长春130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，吉林省科技发展计划项目 |
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| 摘 要： | GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 GaAs表面 缺陷 ZnSe |
Surface Modification of GaAs with ZnSe Optical Films |
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