| 微波快速合成碲掺杂方钴矿及其性能研究 |
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| 引用本文： | 高文圣,雷鹰,李雨,万润东,马雷强,郑睿.微波快速合成碲掺杂方钴矿及其性能研究[J].金属功能材料,2019,26(1):16-21. |
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| 作者姓名： | 高文圣 雷鹰 李雨 万润东 马雷强 郑睿 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学冶金工程学院,安徽马鞍山,243002;昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明,650093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;安徽省高校优秀拔尖人才培育重点项目 |
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| 摘 要： | 采用微波快速合成结合放电等离子(SPS)烧结技术,制备了不同Te掺杂量的Co_3Sb_(3-x)Te_x(x=0、0.4、0.5)样品。并对其进行物相组成、微观结构、电性能、热性能等表征分析。XRD图谱表明微波辐射时间4～5min可以合成高纯度的CoSb3化合物;通过SEM进行微观结构分析表明,采用微波快速合成能够得到晶粒尺寸1～10μm,结构致密,晶粒均匀的样品;电性能分析表明,Te的掺杂极大地降低了材料的电阻率,其中Co_3Sb_(2.5)Te_(0.5)室温时电阻率为4.98μΩ·m,在423～673K测试范围内功率因子1400～1800μW·m-1·K-2;热性能分析表明Te掺杂极大地降低了材料热导率,其热导率为4.4～5.2W·m~(-1)·K~(-1),晶格热导率仅为2.3～4.2W·m~(-1)·K~(-1),说明其具有良好的热性能。热电优值ZT在测室温度范围(283～773K)内随温度升高显著增大,最大值达到0.29。
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| 关 键 词： | 方钴矿 微波合成 Te掺杂 热电性能 |
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