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PbTiO3铁电薄膜晶化工艺研究
引用本文:姜斌,齐增亮,耿永涛,蒋书文,李言荣.PbTiO3铁电薄膜晶化工艺研究[J].功能材料,2007,38(3):354-355,358.
作者姓名:姜斌  齐增亮  耿永涛  蒋书文  李言荣
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
摘    要:对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响.研究表明,采用快速晶化工艺时,在550~750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001)择优取向的PbTiO3薄膜.与常规晶化相比,快速晶化处理的薄膜结晶质量好,晶粒较小、分布均匀致密.

关 键 词:铁电薄膜  快速晶化  PbTiO3
文章编号:1001-9731(2007)03-0354-02
修稿时间:2006-09-052006-12-18

Study on annealing method of PbTiO3 ferroelectric thin films
JIANG Bin,QI Zeng-liang,GENG Yong-tao,JIANG Shu-wen,LI Yanrong.Study on annealing method of PbTiO3 ferroelectric thin films[J].Journal of Functional Materials,2007,38(3):354-355,358.
Authors:JIANG Bin  QI Zeng-liang  GENG Yong-tao  JIANG Shu-wen  LI Yanrong
Affiliation:State Key Lab. of Electronic Thin Film and Integrated Device, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054,China
Abstract:
Keywords:ferroelectrie thin film  rapid thermal annealing  PbTiO3
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