| 在复合衬底γ-Al2O3/Si(001）上生长GaN |
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| 作者姓名： | 刘喆 王军喜 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院创新工程重要方向性项目，国家自然科学基金重点项目(批准号:60136020)，国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683和2002CB311903)，国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311040)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 采用分子束外延（MBE）生长方法，使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层，在Si(001）衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层，实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力. 通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料，研究了复合衬底γ-Al2O3/Si (001）生长GaN情况，得到了六方相GaN单晶材料，实现了GaN c面生长. 预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量，低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度. 为解决Si(001）衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
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| 关 键 词： | GaN MBE γ-Al2O3 缓冲层 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）12-2378-07 |
| 收稿时间： | 2005-05-25 |
| 修稿时间： | 2005-08-05 |
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