| 基于g-r噪声特性的JFET晶体管总剂量效应研究 |
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| 引用本文： | 胡为,庄奕琪,包军林,赵启凤.基于g-r噪声特性的JFET晶体管总剂量效应研究[J].半导体学报,2016,37(3):034005-3. |
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| 作者姓名： | 胡为 庄奕琪 包军林 赵启凤 |
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| 摘 要： | 为了研究N沟道硅结型场效应晶体管（JFET）在辐照环境下的电特性和噪声特性，利用Co-60源对其进行了γ射线辐照试验。辐照剂量率为0.1 rad(Si)/s，累积总剂量为100k rad(Si)，辐照试验以及参数测试均在室温下进行。辐照后，器件的电特性保持不变，但产生复合（g-r）噪声随辐照剂量的增加而增大。通过对噪声功率谱密度数据拟合后发现，g-r噪声的特征频率只有非常微小的变化，而g-r噪声幅度在逐渐增大。利用辐照引起的相同种类（激活能相同）的点缺陷密度的增加以及点缺陷捕获-释放载流子几率的增大机制对试验数据进行了解释。
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| 关 键 词： | radiation junction field-effect transistors generation-recombination noise |
| 收稿时间： | 2015/8/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2015/8/31 0:00:00 |
Total dose effects on the g-r noise of JFET transistors |
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| Hu Wei,Zhuang Yiqi,Bao Junlin,Zhao Qifeng.Total dose effects on the g-r noise of JFET transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2016,37(3):034005-3. |
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| Authors: | Hu Wei Zhuang Yiqi Bao Junlin Zhao Qifeng |
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| Affiliation: | School of Mechano-Electronic Engineering, Xidian University, Xi'an 710071, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radiation junction field-effect transistors generation-recombination noise |
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