| 深亚微米SOIMOS器件研究与设计 |
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| 引用本文： | 颜志英,张斌,张敏霞.深亚微米SOIMOS器件研究与设计[J].浙江工业大学学报,2002,30(4):348-351. |
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| 作者姓名： | 颜志英 张斌 张敏霞 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,信息学院,浙江杭州,310032 |
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| 摘 要： | 利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序，详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压，饱和漏电流，电导，跨导等与工艺参数的关系，通过大量的模拟，计算，我们提出了小尺寸FD SOIMOSFET的设计方案，并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为0.2 μm的SOIMOS器件。
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| 关 键 词： | SOIMOS器件 模拟 设计 深亚微米器件 |
| 文章编号： | 1006-4303(2002)04-0348-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月17 |
Study and design of deep-submicrometer FD SOIMOSFET |
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| YAN Zhi\|ying,ZHANG Bin,ZHANG Min\|xia.Study and design of deep-submicrometer FD SOIMOSFET[J].Journal of Zhejiang University of Technology,2002,30(4):348-351. |
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| Authors: | YAN Zhi\|ying ZHANG Bin ZHANG Min\|xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOIMOSFET simulate design |
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