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| 铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 范素华,徐静,王培吉,胡广达,张丰庆.铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响[J].功能材料,2007,38(9):1427-1430. |
| 作者姓名： | 范素华 徐静 王培吉 胡广达 张丰庆 |
| 作者单位： | 1. 山东建筑大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250101 2. 济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022 3. 济南大学,理学院,山东,济南,250022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 山东教育厅重点项目 |
| 摘 要： | 利用溶胶凝胶法制备CaBi4 xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05～0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生. |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 铁电性能 介电性能 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）09-1427-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-302007-06-11 |
Effect of different Bi contents on properties of CaBi4Ti4O15 ferroelectrics thin films |
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| FAN Su-hua,XU Jing,WANG Pei-ji,HU Guang-da,ZHANG Feng-qing.Effect of different Bi contents on properties of CaBi4Ti4O15 ferroelectrics thin films[J].Journal of Functional Materials,2007,38(9):1427-1430. | |
| Authors: | FAN Su-hua XU Jing WANG Pei-ji HU Guang-da ZHANG Feng-qing |
| Abstract: | |
| Keywords: | ferroelectric thin films ferroelectrics properties dielectric properties |
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