|
|||||
|
|
| 新型电子器件和光学器件的共振隧穿结构 | |
| 引用本文： | Samm.,CJ 汪艺桦.新型电子器件和光学器件的共振隧穿结构[J].红外与毫米波学报,1994,13(4):241-250. |
| 作者姓名： | Samm. CJ 汪艺桦 |
| 作者单位： | Quantum Microstructures Laboratory，Georgia Tech Research Institute，Georgia Institute of Technology，Atlanta，Georgia 30332 U.S.A. |
| 摘 要： | 描述了一种新型共振隧穿结构器件，这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器（ＶＳＳＥＦ）中的耦合量子附态的隧穿过程．论证了通过ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＶＳＳＥＦ器件高能态和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格受激态的共振隧穿，描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用，并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用． |
| 关 键 词： | 共振隧穿 量子阱 微波源 晶体管 |
CRESONANT TUNNELING STRUCTURES FOR NEW ELECTRONIC AND OPTICAL DEVICES |
|
| Christopher J. Summers Abbas Torabi.CRESONANT TUNNELING STRUCTURES FOR NEW ELECTRONIC AND OPTICAL DEVICES[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1994,13(4):241-250. | |
| Authors: | Christopher J Summers Abbas Torabi |
| Abstract: | |
| Keywords: | resonant tunneling variably spaced superlattice energy filter (VSSEF) quantum wells microwave sources transistors detectors infrared sources |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 | |
