60GHz宽带功率放大器设计 |
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引用本文: | 李凌云,叶禹,汪书娜,佟瑞,孙晓玮.60GHz宽带功率放大器设计[J].半导体技术,2014(1). |
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作者姓名: | 李凌云 叶禹 汪书娜 佟瑞 孙晓玮 |
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作者单位: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; |
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基金项目: | 国家科技重大专项资助项目(2011ZX03004-002-02) |
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摘 要: | 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用60 GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0.15μm赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一个工作在60 GHz频段的中功率宽带放大器,频率覆盖50~64 GHz,增益12 dB,线性输出功率14 dBm,饱和输出功率16.5 dBm,功率附加效率为12%。性能与65 nm CMOS工艺设计芯片相当,但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65 nm RF CMOS,适用于前期系统验证工作。
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关 键 词: | 功率放大器 射频(RF) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带 无线通信 |
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