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60GHz宽带功率放大器设计
引用本文:李凌云,叶禹,汪书娜,佟瑞,孙晓玮.60GHz宽带功率放大器设计[J].半导体技术,2014(1).
作者姓名:李凌云  叶禹  汪书娜  佟瑞  孙晓玮
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
基金项目:国家科技重大专项资助项目(2011ZX03004-002-02)
摘    要:随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用60 GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0.15μm赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一个工作在60 GHz频段的中功率宽带放大器,频率覆盖50~64 GHz,增益12 dB,线性输出功率14 dBm,饱和输出功率16.5 dBm,功率附加效率为12%。性能与65 nm CMOS工艺设计芯片相当,但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65 nm RF CMOS,适用于前期系统验证工作。

关 键 词:功率放大器  射频(RF)  赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)  宽带  无线通信
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