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刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响
引用本文:唐雪林,顾凯峰.刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响[J].上海有色金属,1998,19(3):106-109.
作者姓名:唐雪林  顾凯峰
作者单位:上海硅材料厂!上海,201617,上海硅材料厂!上海,201617,上海硅材料厂!上海,201617
摘    要:本文研究了用SVG-18DWC双面擦片机刷洗经RCA工艺清洗后的硅单晶抛光片表面。结果表明:经SVG-18DWC双面擦片机刷洗后,抛光片的表面颗粒有明显的减少,经WISCR-80测试Φ100mm的抛光片,表面大于0.3μm的颗粒总数小于10个/片,而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。

关 键 词:硅单晶抛光片  表面颗粒  刷洗  擦片机  金属杂质沾污

EFFECT OF BRUSHING ON SURFACE QUALITY OF POLISHED SINGLE CRYSTAL SILICON WAFERS
Tang Xuelin, Gu Kaifeng, Yao Baogang.EFFECT OF BRUSHING ON SURFACE QUALITY OF POLISHED SINGLE CRYSTAL SILICON WAFERS[J].Shanghai Nonferrous Metals,1998,19(3):106-109.
Authors:Tang Xuelin  Gu Kaifeng  Yao Baogang
Abstract:
Keywords:Polished single crystal silicon wafer  Surface particles  Brushing  Wafer scrubbing machine  Metallicimpurity contaminant
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