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MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究
引用本文:WANG Yin-zhen,徐军,CHU Ben-li,何琴玉.MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究[J].人工晶体学报,2008,37(4):849-852.
作者姓名:WANG Yin-zhen  徐军  CHU Ben-li  何琴玉
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631
摘    要:采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在(220)CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱和光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜结晶性能良好,具有高度的(002)的择优取向,002衍射峰的半高宽(FMHM)为0.115°.所制备的ZnO薄膜透明,透过率超过85;.在常温的(He-Cd激光器)PL谱中,只有378.5 nm的带边发射.用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中,在低温20K时,出现218 nm、368 nm、418 nm、554 nm发光峰,其中368 nm峰强度随着温度的升高强度逐渐下降,到常温时几乎消失.

关 键 词:ZnO薄膜  MOCVD  CaF2  

Growth and Properties of ZnO Thin Films Grown on (220) CaF2 by MOCVD
WANG Yin-zhen,XU Jun,CHU Ben-li,HE Qin-yu.Growth and Properties of ZnO Thin Films Grown on (220) CaF2 by MOCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(4):849-852.
Authors:WANG Yin-zhen  XU Jun  CHU Ben-li  HE Qin-yu
Abstract:
Keywords:ZnO薄膜  MOCVD  CaF2
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