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| μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质 | |
| 引用本文： | 郑家贵,冯良桓,蔡伟,黄天荃,蔡亚平,罗昭和,周心明.μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质[J].半导体学报,1992,13(1):55-61. |
| 作者姓名： | 郑家贵 冯良桓 蔡伟 黄天荃 蔡亚平 罗昭和 周心明 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系 成都610064 (郑家贵，冯良桓，蔡伟，黄天荃，蔡亚平，罗昭和)，四川大学材料科学系 成都610064(周心明) |
| 摘 要： | 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论. |
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