LaBr3∶Ce晶体生长及物理特性的研究 |
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引用本文: | 丁言国,包汉波,李正国,秦来顺,舒康颖.LaBr3∶Ce晶体生长及物理特性的研究[J].硅酸盐通报,2014,33(3):476-481. |
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作者姓名: | 丁言国 包汉波 李正国 秦来顺 舒康颖 |
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作者单位: | 中国计量学院材料科学与工程学院,杭州,310018 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11175169,11075147,51002147) |
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摘 要: | 利用垂直Bridgman法生长了尺寸为φ25 mm×80 mm的LaBr3∶3%Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为001].热膨胀测试表明晶体100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达22.9×10-6/K.晶体经加工后,透过率可达到65%.室温下晶体的光致发光呈双发射峰,分别位于358 nm和380 nm.晶体呈单指数衰减,衰减极快,衰减时间拟合为18.3 ns.
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关 键 词: | Bridgman法 LaBr3∶Ce晶体 晶体生长 解理面 光谱 |
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