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具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计
引用本文:胡柳林,叶水驰.具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计[J].微处理机,2008,29(3).
作者姓名:胡柳林  叶水驰
作者单位:哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨,150080
摘    要:采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为-10.27dBm,输出差分信号相位误差小于0.2°,增益差小于0.1。

关 键 词:CMOS射频集成电路  低噪声放大器  非平衡变换器

Design of CMOS Low-Noise Amplifier With Active Balun
HU Liu-lin,YE Shui-chi.Design of CMOS Low-Noise Amplifier With Active Balun[J].Microprocessors,2008,29(3).
Authors:HU Liu-lin  YE Shui-chi
Abstract:
Keywords:CMOS RFIC  LNA  BALUN
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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